서울--(뉴스와이어)--베렉스가 GaAs E-pHEMT 기술로 50-5000MHz 대역에서 LTE/ 5G 통신에 적합한 고 선형성 증폭기 BBA31을 출시했다. BBA31은 matching 소자를 최소화해 사용할 수 있도록 내부에 50ohm으로 matching돼 있고, ROHS2 규정을 만족시키며 DFN 8L 2x2mm2 surface mounting package를 사용해 소형화했다.

베렉스 마케팅팀 신헌수 부장은 “BBA31는 LTE, 5G NR 통신을 목표로 소형으로 개발됐으며 5V에서 사용 가능하다”고 설명했다. 5V 사용 시 100MHz에서 특성은 15dB 이득, 40dBm 출력 선형성 OIP3, 21.8dBm 출력 P1, -50 dBc 특성 만족은 13.4dBm LTE 20MHz ACLR을 보이고, 3500MHz에서 특성은 14.5dB 이득, 37dBm 출력 선형성 OIP3, 20.9dBm 출력 P1, -50 dBc 특성 만족은 10.6dBm 5GNR ACLR을 보인다.

현재는 5G용 기지국 및 중계기용 부품이 수입 의존도가 높으나, 이번 국산화 개발을 통해 통신 시장에서 국산화가 확대될 것으로 기대된다. 베렉스는 RF용 갈륨비소, 갈륨질소, 실리콘-게르마니움 및 CMOS 기술을 이용해 통신용 부품을 개발해 세계 정상급 RF 반도체(Semiconductor) 회사로 진입 목표를 갖고 있다.

베렉스 소개

베렉스는 이동통신용 화합물 반도체를 기획, 개발, 생산, 판매하는 전문 벤처 기업으로 2004년 출범했으며, 통신 기지국에서 활용하는 무선통신 반도체(RFIC) 분야 특허를 다수 확보해 기술력으로 낮은 인지도를 극복하고 사업 영역을 넓혀오고 있다. 2007년 이후 매년 수익을 창출해 무차입 경영을 실시하고 있다. 2008년 미국 캘리포니아 산호세에 100% 자회사 BeRex, Inc.를 설립해 미국 레이더 위성통신장비 시장에 진입했으며, 2019년에는 캘리포니아 소재 옥토테크(Octotech)를 인수해 IoT용 반도체를 개발/생산/판매하고 있다. 현재는 화합물 반도체 외에 실리콘-게르마늄(SiGe) 반도체, 실리콘 절연막(Silicon-on-Insulator) 반도체 기술을 이용해 제품 및 시장 다변화를 하고 있다. 베렉스는 서울, 미국 산타클라라와 산타 아나 3곳에 연구소를 운영하고 있다. 베렉스는 현재 19개 제품군과 177개의 제품을 판매하고 있으며, 또한 전 세계 22개국 수출 및 530명 고객을 확보한 경영, 기획과 기술 혁신형 벤처기업이다.