골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어)--차세대 전력 시스템의 미래인 견고한 GaN 전력 반도체의 글로벌 리더인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(나스닥: TGAN)이 오늘 ‘SuperGaN® TOLT FET’을 출시했다.

온저항 72밀리옴의 TP65H070G4RS 트랜지스터는 업계 최초로 JEDEC 표준(MO-332) TOLT 패키지에 제공되는 상단 냉각식 표면 실장 GaN 소자이다. TOLT 패키지는 시스템 요구 사항으로 인해 바닥면 냉각의 기존 표면 실장 소자를 사용할 수 없는 고객에게 열 관리의 유연성을 제공한다. TOLT의 열 성능은 보편적으로 사용되고 열적으로 견고한 TO-247 스루홀 패키지의 성능과 유사하며, SMD 기반 인쇄 회로 기판 어셈블리(printed circuit board assembly, PCBA)로 구현되는 고효율 제조 공정의 추가적인 이점을 제공한다.

TP65H070G4RS는 트랜스폼의 견고한 고성능 650볼트 노멀리 오프(normally-off) d-모드 GaN 플랫폼을 활용하여 낮은 게이트 전하, 출력 커패시턴스, 크로스오버 손실, 역회복 전하 및 동적 저항을 통해 실리콘, 탄화규소 및 기타 GaN 제품보다 향상된 효율을 제공한다. SuperGaN 플랫폼의 장점과 TOLT의 우수한 열 및 시스템 조립 유연성이 결합된 결과, 고성능·고신뢰성 GaN 솔루션이 탄생했으며, 이는 전반적으로 낮은 전력 시스템 비용으로 더 높은 전력 밀도와 효율성을 갖춘 전력 시스템을 시장에 출시하려는 고객에게 적합하다.

트랜스폼은 고전력 GaN을 위해 서버 및 스토리지 전력 분야의 선도적인 고객사, 에너지/마이크로인버터 분야의 글로벌 리더, 혁신적인 오프그리드 전력 솔루션 제조업체, 위성 통신 분야의 리더 등 여러 글로벌 파트너와 협력하고 있다.

트랜스폼의 비즈니스 개발 및 마케팅 수석부사장 필립 주크(Philip Zuk)는 “TOLL 및 TOLT와 같은 표면 실장 소자는 내부 인덕턴스 감소뿐 아니라 제조 중 기판 실장 간소화 등 다양한 이점을 제공한다. TOLT는 상단 냉각을 사용하여 스루홀과 같은 열 성능을 통해 전반적 열 관리에 더욱 유연성을 더한다”고 말했다. 그는 “이러한 소자는 고성능 컴퓨팅(서버, 통신, AI 전력), 재생 에너지 및 공업, 전기자동차 등 주요 시장 부문의 중·고전력 시스템 애플리케이션에서 흔히 볼 수 있으며, 이러한 분야 중 일부에는 현재 당사의 GaN 기술이 이미 사용되고 있다”며 “고객이 TOLT SuperGaN 솔루션을 통해 시스템 수준의 추가적인 이점을 실현할 수 있게 되어 매우 기쁘게 생각한다”고 덧붙였다.

오늘의 제품 출시는 트랜스폼이 최근 세 가지 새로운 TOLL FET을 출시한 데 이어 이루어졌다. TOLT를 추가함으로써 트랜스폼의 제품 제공 범위는 또 한 번 확장되었다. 이 제품의 출시는 가장 넓은 전력 범위에 걸쳐 다양한 패키지로 SuperGaN 플랫폼을 제공하여 고객의 기호를 지원하려는 트랜스폼의 노력을 반영한다.

장치 사양

SuperGaN 장치는 타의 추종을 불허하며, 다음과 같은 특성으로 시장을 선도한다.

· 0.05 FIT 미만의 신뢰성

· ±20V에서 게이트 안전 마진

· 4V에서 노이즈 내성

· e-모드 노멀리 오프 GaN보다 20% 낮은 온도 저항 계수(TCR)

· 표준 기성품 실리콘 드라이버를 통한 드라이브 유연성 확보

견고한 650V SuperGaN TOLT 소자는 JEDEC 인증을 받았다. 노멀리 오프 d-모드 플랫폼은 GaN HEMT를 통합 저전압 실리콘 MOSFET과 짝을 이루기 때문에 흔히 사용되는 기성품 게이트 드라이버로 SuperGaN FET을 쉽게 구동할 수 있다. 다양한 하드 및 소프트 스위칭 AC -DC, DC-DC, DC-AC 토폴로지에 사용할 수 있는 동시에 시스템 크기, 무게, 전체 비용을 줄이면서도 전력 밀도를 높일 수 있다.

(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: https://bit.ly/49bofD3)

가용성 및 지원 리소스

TP65H070G4RS SuperGaN TOLT 소자는 현재 샘플을 제공 중이다. 제품을 받으려면 https://www.transphormusa.com/en/products/ 로 요청하면 된다.

TP65H070G4RS 데이터시트 액세스: https://www.transphormusa.com/en/document/datasheet-tp65h070g4rs/

트랜스폼 소개

트랜스폼은 GaN 혁명의 글로벌 리더이며 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 높은 안정성의 고성능 GaN 반도체를 설계 및 생산한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 등록한 최신 전력 GaN IP 포트폴리오를 보유한 트랜스폼은 업계 최초로 JEDEC 및 AEC-Q101 적격 고전압 GaN 반도체 기기를 생산하고 있다. 이 회사의 수직적 통합 기기 비즈니스 모델은 설계, 패브리케이션, 기기 및 애플리케이션 지원까지 모든 개발 단계에 적용할 수 있다. 트랜스폼의 혁신을 통해 전력 전자 기기는 실리콘의 제한을 뛰어넘어 99%가 넘는 효율성, 50% 늘어난 전력 밀도 및 20% 낮아진 시스템 비용을 달성하게 되었다. 트랜스폼은 미국 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며, 골레타와 일본 아이즈에 제조 시설을 운영 중이다. 웹페이지: www.transphormusa.com 팔로우: Twitter @transphormusa 및 WeChat @ Transphorm_GaN

SuperGaN 마크는 Transphorm, Inc.의 등록 상표이다. 기타 모든 상표는 해당 소유자의 재산이다.

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