골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어)--고신뢰성, 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품의 선구자이자 글로벌 공급업체인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(나스닥: TGAN)은 오늘 업계 표준 PQFN 5x6 및 8x8 패키지로 제공되는 6종의 표면 실장 장치(SMD)를 출시한다고 발표했다. 이 SMD는 경쟁력 있는 e-모드 GaN 장치에서 일반적으로 사용되는 패키지 구성으로 트랜스폼의 특허받은 SuperGaN® d-모드 2-스위치 노멀리 오프(normally-off) 플랫폼이 제공하는 신뢰성 및 성능 이점을 제공한다. 따라서 이 6종 장치는 손쉽게 e-모드 GaN 솔루션을 위한 주요 설계 소스로 사용하거나 핀투핀 드롭인 교체 및/또는 보조 소스로 사용할 수 있다.

트랜스폼은 SuperGaN 플랫폼의 추가 열 성능이 필요한 전력 시스템을 위해 최적화된 성능 패키지의 SMD도 제공한다. 모든 트랜스폼 장치는 GaN HEMT와 페어링되는 저전압 실리콘 MOSFET을 사용하는 d-모드로 구성되어 패키징에 관계없이 손쉽게 설계 효율성과 구동 가능성을 제공한다. 또한 이 플랫폼 구성은 표준 기성품 컨트롤러 및/또는 드라이버를 사용할 수 있어서 트랜스폼 포트폴리오의 우수한 구동 가능성 및 설계 효율성을 강화한다.

트랜스폼 비즈니스 개발 및 마케팅 수석부사장인 필립 주크(Philip Zuk)는 “트랜스폼은 현재 가장 광범위한 전력 스펙트럼을 포괄하는 강력한 GaN 장치 포트폴리오를 계속해서 생산하고 있다. 우리는 최근 발표된 웰트렌드 세미컨덕터(Weltrend Semiconductors)와 함께 개발한 SiP에 이어 이러한 산업 표준 패키지의 출시로 저전력 전략을 공고히 해왔다”면서 “고객은 성능 패키지, 핀투핀 e-모드 호환 산업 표준 패키지 또는 시스템 인 패키지 중에서 SuperGaN의 이점을 활용할 방법에 대한 선택지를 갖게 됐다”고 말했다.

SuperGaN 드롭인 교체 장점

e-모드 장치를 SuperGaN d-모드 FET로 교체하면 전도 손실 감소를 통해 더 높은 성능과 더 낮은 작동 온도를 제공하여 결과적으로 수명 안정성이 개선되는 것으로 입증되었다. 이는 e-모드 GaN 노멀리 오프 장치에 비해 d-모드 GaN 노멀리 오프 장치가 근본적이고 본질적인 우월성을 갖추고 있기 때문이다. 이를 검증할 수 있는 한 가지 예는 280W 게임용 노트북 충전기에서 50mΩ e-모드가 72mΩ SuperGaN 기술로 대체된 최근의 일대일 비교에서 찾아볼 수 있다. https://bit.ly/diraztbISP.

충전기 분석에서 SuperGaN FET는 더 낮은 온도로 컨트롤러의 출력 전압 범위에서 작동했다(반면 e-모드는 레벨 이동이 필요했음). SuperGaN 저항 온도 계수(TCR)는 e-모드보다 약 25% 낮아 전도 손실을 줄이는 데 기여한다. 또한 주변 부품 수가 20% 감소하여 BOM 비용이 내려갔다.

산업 표준 SMD 포트폴리오

트랜스폼의 산업 표준 PQFN 장치 목록은 다음과 같다.

(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: https://bit.ly/3NlHodk)

여러 장치에서 공유되는 주요 기능은 다음과 같다.

· JEDEC 적격

· 동적 RDS(on)eff 프로덕션 테스트

· 넓은 게이트 안전 마진 및 과도 과전압 기능으로 시장을 선도하는 견고성

· 매우 낮은 QRR

· 교차 손실 감소

대상 응용 분야

72mΩ FET는 데이터 통신, 광범위한 산업, PV 인버터, 서보 모터, 컴퓨팅 시스템 및 일반 소비자 애플리케이션에 사용하기에 최적으로 설계되었다.

150mΩ, 240mΩ 및 480mΩ FET는 전원 어댑터, 저전력 SMPS, 조명 및 저전력 소비자 애플리케이션에 사용하기에 최적으로 설계되었다.

가용성

모든 산업 표준 장치는 현재 샘플링 중이며 여기에서 요청할 수 있다. https://www.transphormusa.com/en/products/#sampling.

트랜스폼 소개

트랜스폼은 GaN 혁명의 글로벌 리더이며 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 높은 안정성의 고성능 GaN 반도체를 설계 및 생산한다. 1,000개 이상의 특허를 소유 또는 등록한 최신 전력 GaN IP 포트폴리오를 보유한 트랜스폼은 업계 최초로 JEDEC 및 AEC-Q101 적격 고전압 GaN 반도체 기기를 생산하고 있다. 이 회사의 수직적 통합 기기 비즈니스 모델은 설계, 패브리케이션, 기기 및 애플리케이션 지원까지 모든 개발 단계에 적용할 수 있다. 트랜스폼의 혁신을 통해 전력 전자 기기는 실리콘의 제한을 뛰어넘어 99%가 넘는 효율성, 50% 늘어난 전력 밀도 및 20% 낮아진 시스템 비용을 달성하게 되었다. 트랜스폼은 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며 골레타와 일본 아이즈에 제조 시설을 운영 중이다. 웹 페이지: www.transphormusa.com 팔로우: Twitter @transphormusa 및 WeChat @ Transphorm_GaN

SuperGaN 마크는 Transphorm, Inc.의 등록 상표이다. 기타 모든 상표는 해당 소유자의 재산이다.

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