골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어)--고신뢰성, 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품의 선구자이자 글로벌 공급업체인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(나스닥: TGAN)은 오늘 마이크로칩 테크놀로지(Microchip Technology)의 디지털 신호 컨트롤러를 사용하는 세 번째 고전력 GaN 설계 도구 공급을 발표했다.

TDINV3000W050B-키트는 3.0kW DC-AC 비절연 풀 브리지 인버터 평가 보드이다. 이 보드는 트랜스폼의 TP65H050G4WS SuperGaN® FET을 최종 애플리케이션 요구 사항에 따라 쉽게 사용자 정의할 수 있는 사전 프로그래밍된 펌웨어가 포함된 마이크로칩의 dsPIC33CK 디지털 신호 컨트롤러(DSC) 보드와 페어링한다. 새로운 보드의 사용함으로써 트랜스폼 GaN의 우수한 성능을 강조하고, GaN이 광범위한 산업 및 재생 에너지 전력 시스템에 어떻게 사용될 수 있는지 이해할 수 있다.

이전의 두 가지 SuperGaN/마이크로칩 DSC 평가 보드(4kW TDTTP4000W066C-키트) 및 2.5kW TDTTP2500B066B-키트)와 마찬가지로, 이 단상 3.0kW 인버터 보드는 마이크로칩의 전 세계 펌웨어 개발 지원 기술 지원 팀의 지원을 받는다.

마이크로칩의 MCU16 비즈니스 유닛의 부사장인 조 톰슨(Joe Thomsen)은 “우리의 dsPIC® 디지털 신호 컨트롤러 및 펌웨어 커스터마징 전문 지식은 트랜스폼의 GaN 기술을 보완하며, 개발 가속화와 동시에 설계 단순화를 지원한다”며 “트랜스폼과 협력해 유연하고 매우 효율적인 전력 변환이 가능해짐으로써 광범위한 지속 가능성 애플리케이션을 다룰 수 있게 돼 자랑스럽다”고 말했다.

트랜스폼의 비즈니스 개발 및 마케팅 수석 부사장인 필립 주크(Philip Zuk)는 “EV 충전기, UPS 및 태양광 인버터와 같은 고전압 전력 시스템은 급속하게 성장하는 GaN 시장이 되고 있다. 트랜스폼의 GaN 플랫폼은 이러한 애플리케이션을 염두에 두고 개발됐다”며 “우리는 펌웨어 측면에서 마이크로칩과 협력해 중요하고 지속 가능한 고객 전원 시스템 프로젝트를 매우 효율적인 방식으로 지원할 수 있게 됐다. 펌웨어 프로그래밍에서 경험하는 잠재적인 제한을 제거해 개발을 단순화하고 시장 출시 시간을 단축한다. 이 협력을 통해 재생 에너지 및 기타 산업에서 GaN이 제공하는 모든 것을 쉽게 활용할 수 있게 됐다”고 말했다.

기술 사양

TDINV3000W050B-KIT 기능:

· TP65H050G4WS: TO-247 패키지의 650V 50mΩ SuperGaN FET

· 전력 효율: ~99%

· 입력 전압: 0 VDC ~ 400 VDC

· 출력 전압: VDC / √2VRMS @ 50/60Hz(프로그래밍 가능)

· 출력 파워: 최대 3000W

· 보조 공급 전압: 12VCC

이 보드는 마이크로칩의 dsPIC33CK 디지털 전원 플러그인 모듈(PIM)을 중심으로 설계돼 PFC 파워트레인을 제어하며, 다음과 같은 사전 프로그래밍된 PIM 기능을 가진다.

· 마이크로칩의 AEC-Q100 인증 dsPIC33CK256MP506 디지털 신호 컨트롤러

· 100MHz dsPIC® DSC 코어와 통합 DSP 및 향상된 온칩 주변 장치

· 듀얼 플래시 패널 - 전원 공급 장치 작동 중 코드 실시간 업데이트 지원

· BOM 비용 절감 및 최소 시스템 크기를 위한 높은 아날로그 통합

· 250ps 해상도의 독립 PWM 쌍 8개

dsPIC33CK PIM에 대한 펌웨어 업데이트는 마이크로칩의 웹사이트에서 다운로드 가능하다.

마이크로칩의 dsPIC® DSC는 심지어 전문 지식이 제한적인 개발자의 역량까지 강화하기 위해 만든 임베디드 설계 도구 세트로 지원된다. 이러한 도구는 마이크로칩의 무료 MPLAB® X 통합 개발 환경에서 장치 초기화를 위한 직관적인 그래픽 사용자 인터페이스를 제공한다. 소프트웨어 도구는 프로그래머, 디버거 및 에뮬레이터 액세서리의 전체 제품군으로 보완된다.

가용성 및 시장 애플리케이션

TDINV3000W050B-KIT는 디지-키(Digi-Key) 및 마우저(Mouser)를 통해 제공된다.

이 평가 보드는 차량-그리드 간(V2G) 충전 시스템, 태양광 또는 광전지(PV) 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 기타 고전압 전원 애플리케이션을 개발할 때 사용하도록 설계됐다.

트랜스폼 소개

트랜스폼은 GaN 혁명의 글로벌 리더이며 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 높은 안정성의 고성능 GaN 반도체를 설계 및 생산한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 등록한 최신 전력 GaN IP 포트폴리오를 보유한 트랜스폼은 업계 최초로 JEDEC 및 AEC-Q101 적격 고전압 GaN 반도체 기기를 생산하고 있다. 이 회사의 수직적 통합 기기 비즈니스 모델은 설계, 패브리케이션, 기기 및 애플리케이션 지원까지 모든 개발 단계에 적용할 수 있다. 트랜스폼의 혁신을 통해 전력 전자 기기는 실리콘의 제한을 뛰어넘어 99%가 넘는 효율성, 40% 늘어난 전력 밀도 및 20% 낮아진 시스템 비용을 달성하게 됐다. 트랜스폼은 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며 골레타와 일본 아이즈에 제조 시설을 운영 중이다. 웹페이지: www.transphormusa.com 팔로우: Twitter @transphormusa 및 WeChat @ Transphorm_GaN

SuperGaN 마크는 Transphorm, Inc.의 등록 상표이다. 기타 모든 상표는 해당 소유자의 재산이다.

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