Severity: Warning
Message: count(): Parameter must be an array or an object that implements Countable
Filename: controllers/News.php
Line Number: 111
Backtrace:
File: /home/newswire/ci_applications/press1_web/controllers/News.php
Line: 111
Function: _error_handler
File: /home/newswire/ci_applications/press1_web/public/index.php
Line: 309
Function: require_once
골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어)--고성능·고신뢰성 질화 갈륨(GaN) 전력 변환 제품을 전 세계에 공급하는 선도 기업 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(나스닥: TGAN)이 15일 GaN 전력 FET에 대한 최신 신뢰성 등급을 공개했다.
신뢰성은 FIT(Failures in Time)로 측정되며, 응용 제품에서 사용 시 고객이 현장에서 고장을 보고한 장치 개수를 고려해 분석한다. 지금까지 회사의 전체 제품 포트폴리오는 850억 시간 이상의 현장 작업을 기준으로 평균 0.1 FIT 미만의 비율을 달성했다. 이는 현재 모든 가용 GaN 전력 솔루션 중 업계 최고 수준이며 유일하게 보고된 광범위한 전력 스펙트럼 신뢰성 등급이다.
트랜스폼은 와이드 밴드갭(wide bandgap) 기술이 시장에 처음 출시됐을 때 그 중요성을 간파했으며 신뢰성을 염두에 두고 GaN 플랫폼을 구축했다. GaN의 성능이 실리콘 기반 트랜지스터보다 우수했지만, 고객들은 소자를 실제 사용할 때 오류가 날 경우 신기술로 전환하지 않았을 것이다. 트랜스폼은 2019년 GaN 제조 업체 중 최초로 신뢰성 주장을 뒷받침하는 완전한 검증 데이터 세트를 공표했다. 이후로 트랜스폼은 GaN 신뢰성 성과를 정기적으로 공유해 잠재 고객이 반도체 공급업체를 선택할 때 정보에 입각한 결정을 내릴 수 있도록 돕고 있다. 가장 최근인 2022년 1분기의 FIT 비율은 0.3 미만이었다.
올해 트랜스폼은 고객이 GaN FET 옵션을 평가하는 방식을 달리할 수 있도록 또다른 조치를 취한다. 트랜스폼은 신뢰성 데이터를 두 가지 범주로 분류했다.
· 저전력: 전력 수준 500 W 이하인 응용 제품에 사용되는 GaN 소자
· 고전력: 500 W 이상 응용 제품에 사용되는 GaN 소자
전력 수준 유형별 소자 성능의 경우 트랜스폼의 GaN FET은 아래와 같이 실리콘 기반 전력 장치와 유사한 신뢰성 등급을 제공한다.
· 저전력: 0.06 FIT
· 고전력: 0.19 FIT
필립 주크(Philip Zuk) 트랜스폼 사업개발/마케팅 수석 부사장은 “GaN이 새로운 시장에서 채택됨에 따라 트랜스폼의 고전압 GaN 소자는 10kW를 넘을 수 있는 45W~4kW의 가장 폭넓은 스펙트럼을 포괄하는 광범위한 응용 분야로 설계됐다”며 “이는 트랜스폼 기술의 엄청난 잠재력을 보여준다”고 강조했다. 그는 “하지만 모든 애플리케이션 유형을 하나로 묶는 단일한 신뢰성 등급이 고객에게 유용하지 않을 수 있음을 깨달았다”며 “특정한 설계 요구 사항에 적용되는 더욱 미묘한 데이터에 액세스할 수 있도록 도와야 한다고 생각했다”고 설명했다. 이어 “바로 저전력과 고전력의 상세한 등급이 그것이다”고 덧붙였다.
산업을 초월한 리더십
트랜스폼은 뛰어난 소자 품질과 신뢰성을 바탕으로 고전압 GaN 분야의 선두주자로 군림하고 있다. 트랜스폼은 어댑터, PC 컴퓨팅, 블록체인, 데이터센터, 재생에너지, 전력 스토리지 등 다양한 최종 시장에 제품을 출하하고 있다.
아래 링크에서 SuperGaN 기술의 차별적 특징을 자세히 알아볼 수 있다.
트랜스폼(Transphorm) 개요
트랜스폼은 GaN 혁신을 주도하는 세계적 기업으로 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 최고의 성능과 신뢰성을 갖춘 고전압 GaN 반도체를 설계·제조하고 있다. 트랜스폼은 1000개가 넘는 특허를 소유 또는 라이선스해 업계에서 가장 방대한 전력 GaN IP(지식 재산) 포트폴리오를 보유하고 있으며, 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 GaN 반도체 소자를 생산한다. 또 수직 통합된 장치 비즈니스 모델을 통해 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원 등 모든 개발 단계에서 혁신을 일으키고 있다. 트랜스폼은 혁신을 통해 전자 제품이 실리콘의 한계를 극복해 99% 이상 효율을 달성하고 전력 밀도를 40% 이상 높이는 한편, 시스템 비용을 20% 절감하도록 뒷받침한다. 트랜스폼 본사는 미국 캘리포니아주 골레타에 있으며 골레타와 일본 아이즈에 생산 시설이 있다. 자세한 정보는 웹사이트(www.transphormusa.com)를 방문하거나 트위터(@transphormusa), 위챗(@Transphorm_GaN)을 팔로우해 확인할 수 있다.
비즈니스와이어(businesswire.com) 원문보기: https://www.businesswire.com/news/home/20221215005222/en/
[이 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.]