골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어)--안정성이 우수한 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품을 개척하고 전 세계에 공급하는 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(나스닥: TGAN)이 ‘TP65H050G4BS’를 출시해 표면 실장 패키지 제품을 확장했다고 13일 발표했다.

새로 출시된 고전력 표면실장장치(SMD)는 TO-263(D2PAK)의 650V SuperGaN® FET로 50밀리옴의 일반적인 온저항(on-resistance)을 제공한다. 이 장치는 트랜스폼의 7번째 SMD로, 저전력~중전력 애플리케이션용으로 시판 중인 다양한 PQFN 장치를 확대한다.

국제반도체 표준화 기구 JEDEC의 인증을 획득한 TP65H050G4BS는 데이터 센터 및 광범위한 산업 애플리케이션에 주로 사용되는 고전력(단일~다중 킬로와트) 시스템의 개발 설계자와 제조업체에 여러 이점을 제공한다. 트랜스폼이 자랑하는 동급 최고의 신뢰성과 게이트 견고성(±20Vmax), 실리콘 잡음 여유도 임계값(4V)을 구현하면서 GaN 기술이 보장하는 설계 용이성과 전류 구동 능력을 지원한다. 엔지니어는 더 높은 전력과 표면 실장 패키징이 모두 필요한 분야에 대형 D2PAK를 적용해 열 성능을 개선할 수 있다. PQFN 유형의 패키지는 단일한 제조 플로를 사용해 PCB 조립의 효율성도 높여준다.

개별 장치로 제공되는 D2PAK는 수직 도터 카드(daughter card)로도 제공돼 트랜스폼의 TDTTP2500B066B-KIT(2.5kW AC-DC 브리지리스 토템 폴 역률 보상(PFC) 평가 보드의 전력 밀도를 높여준다. 또한 1.2kW 동기식 하프 브리지 TDHBG1200DC100-KIT 평가 보드로 교체해 다중 킬로와트 전력을 구동할 수도 있다.

필립 주크(Philip Zuk) 트랜스폼 글로벌 마케팅·애플리케이션·사업개발 담당 선임 부사장(SVP)은 “D2PAK은 트랜스폼의 포트폴리오를 강화하는 중요한 제품”이라며 “이전에 스루홀(through-hole) 장치로 지원되던 고전력 애플리케이션에도 SMD를 확대 적용할 수 있게 됐다”고 설명했다. 이어 “이는 고객이 설계 문제를 제거하고 시스템 개발을 단순화하며 시장 출시 시간을 단축하도록 돕는 친숙한 TO-XXX 패키지를 통해 트랜스폼이 제공하는 GaN 플랫폼의 장점을 활용하도록 뒷받침하는 새로운 진전”이라고 강조했다.

트랜스폼은 GaN 업계에서 유일하게 표준형 표준 TO-XXX 패키지의 고전압 GaN 장치를 제공하고 있다. 이들 패키지는 손상에 대한 고유 게이트 감도를 고려할 때 대안형 e-모드 GaN 기술과 함께 사용할 수 없다.

판매처

상기 장치와 평가 보드는 디지키(Digi-Key)와 마우저(Mouser)에서 아래 링크를 통해 구입할 수 있다.

· TP65H050G4BS FET: 디지키(Digi-Key, https://bit.ly/3PtdJwe) / 마우저(Mouser, https://bit.ly/3aD4Npm)

· 2.5 kW 평가 보드(TDTTP2500B066B-KIT): 디지키(Digi-Key, https://bit.ly/3P5x1Z6) / 마우저(Mouser, https://bit.ly/3AIxlZo)

· 1.2 kW 평가 보드(TDHBG1200DC100-KIT): 디지키(Digi-Key, https://bit.ly/3AOOznP) / 마우저(Mouser, https://bit.ly/3Ru7vOG)

트랜스폼(Transphorm) 개요

트랜스폼은 GaN 혁신을 주도하는 세계적 기업으로 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 최고의 성능과 신뢰성을 갖춘 고전압 GaN 반도체를 설계·제조하고 있다. 트랜스폼은 1000개 이상의 특허를 소유 또는 라이선스해 업계에서 가장 방대한 전력 GaN IP(지식 재산) 포트폴리오를 보유하고 있으며, 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 GaN 반도체 소자를 생산한다. 또 수직 통합된 장치 비즈니스 모델을 통해 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원 등 모든 개발 단계에서 혁신을 일으키고 있다. 트랜스폼은 혁신을 통해 전자 제품이 실리콘의 한계를 극복해 99% 이상 효율을 달성하고 전력 밀도를 40% 이상 높이는 한편, 시스템 비용을 20% 절감하도록 뒷받침한다. 트랜스폼 본사는 미국 캘리포니아주 골레타에 있으며 골레타와 일본 아이즈에 생산 시설이 있다. 자세한 정보는 웹사이트(www.transphormusa.com)를 방문하거나 트위터(@transphormusa), 위챗(@Transphorm_GaN)을 팔로우해 확인할 수 있다.

SuperGaN 상표는 트랜스폼의 등록 상표다. 그 밖의 모든 상표명은 해당 소유권자의 자산이다.

비즈니스와이어(businesswire.com) 원문 보기: https://www.businesswire.com/news/home/20220713005160/en/

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